【米兰·(milan)中国科技消息】11月4日，根据媒体报道，在近日举行的面向AI市场的技术说明会上，日本半导体存储芯片巨头铠侠控股宣布，其正与美国半导体公司英伟达紧密合作，计划在2027年前开发并量产一款数据读取速度提升至目前水平近100倍的新型固态硬盘（SSD）。
铠侠
此次合作旨在响应生成式AI市场对数据存储与处理速度的爆炸性需求。传统上，SSD通过中央处理器（CPU）与图形处理器（GPU）连接，而铠侠与英伟达合作开发的新一代SSD将能够直接连接到GPU上进行高速数据交换。其关键性能指标——随机读取速度目标设定为惊人的1亿IOPS（每秒输入输出操作次数）。鉴于英伟达提出的单个SSD性能需求为2亿IOPS，铠侠计划通过组合两个SSD来满足这一要求，并将支持未来的PCIe 7.0接口标准。
这一技术突破的核心战略目标之一，是寻求替代目前在AI运算中广泛使用的高带宽存储器（HBM）的一部分功能。HBM作为一种超高速动态随机存取存储器（DRAM），虽然性能卓越，但单位容量成本高昂，限制了AI运营商扩展存储容量。
铠侠SSD
铠侠希望利用其具有成本优势的NAND闪存技术，通过这款超高速SSD来承担部分原本由HBM负责的容量扩展任务，这同时也是铠侠在自身产品线缺乏DRAM情况下的一种战略性补强。
为实现性能的跨越式提升，铠侠将依托其专有的高速NAND闪存技术“XL-FLASH”。该技术通过控制单个存储元件存储的数据量（1-2比特），在成本、运行速度和耐久性上取得了优于大容量NAND的平衡。目前，第三代XL-FLASH正在开发中并即将投产，它将被应用于目标性能达1亿IOPS的最终产品中。
铠侠技术人员透露，为实现百倍速飞跃，将采取增加NAND芯片内的平面分割数等措施以优先提升读取速度，即使牺牲部分芯片面积也在所不惜。同时，将数据读取单位“页”缩小至512字节（原来的八分之一）并控制由此带来的功耗增加，也是技术挑战之一。
铠侠制定了清晰的开发路线图：首先，在2026年推出基于第二代XL-FLASH、读取速度达1000万IOPS的SSD样品。在验证此阶段成果后，于2027年使用第三代XL-FLASH实现1亿IOPS SSD的开发。
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